BSM25GD120DN2E 3224 Prodotto:IGBT Silicon Modules Configurazione:Hex Tensione collettore-emettitore VCEO Max:1200 V Tensione di saturazione collettore-emettitore:2.5 V Collettore a corrente continua a 25 °C:35 A Corrente di perdita gate-emettitore:180 nA Potenza dissipata:200 W Temperatura di lavoro massima:+ 150 C Package/involucro:EconoPACK 2 Marchio:Infineon Technologies Tensione gate-emettitore massima:+/- 20 V Temperatura di lavoro minima:- 40 C